Fuente de alimentación de alta tensión y bajo ruido para aplicaciones de nanoposicionamiento

Autores/as

  • C H Belussi Centro Atómico Bariloche
  • M Gómez Berisso Centro Atómico Bariloche
  • Y Fasano Centro Atómico Bariloche

Resumen

Las técnicas de nanoposicionamiento que actualmente se utilizan para caracterizar las propiedades físicas de materialesinteresantes para aplicaciones se basan en circuitos electrónicos de alta tensión que deben tener el nivel de ruido más bajoposible. En este trabajo se presenta una fuente de alimentación construida de forma simple y flexible, que puede proveer+375V con un nivel de ruido menor a 10 ppm. La flexibilidad del circuito se debe a su topología basada en componentesMOSFET discretos que pueden ser fácilmente reemplazados para cambiar la polaridad, la tensión y la corriente de salida.

Palabras clave: alta tensión, bajo ruido, fuente de alimentación.

Nanopositioning techniques currently applied to characterize physical properties of materials interesting for applications at themicroscopic scale rely on high-voltage electronic control circuits that should have the lowest possible noise level. Here weintroduce a simple, flexible, and custom-built power supply circuit that can provide +375V with a noise level below 10 ppm. Theflexibility of the circuit comes from its topology based on discrete MOSFET components that can be suitable replaced in order tochange the polarity as well as the output voltage and current.

Keywords: high-voltage, low-noise, power-supply

Biografía del autor/a

C H Belussi, Centro Atómico Bariloche

Laboratorio de Bajas Temperaturas e Instituto Balseiro

M Gómez Berisso, Centro Atómico Bariloche

Laboratorio de Bajas Temperaturas e Instituto Balseiro

Y Fasano, Centro Atómico Bariloche

Laboratorio de Bajas Temperaturas e Instituto Balseiro

Publicado

2016-01-09

Número

Sección

Tecnología