OXIDACIÓN DE GaAs [100] A TRAVÉS DE ESPECTROSCOPÍA AUGER

Autores/as

  • M. Passeggi (INTEC) Instituto para el Desarrollo Tecnológico de la Industria Química, Universidad Nacional del Litoral y Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas.
  • E. García (INTEC) Instituto para el Desarrollo Tecnológico de la Industria Química, Universidad Nacional del Litoral y Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas.
  • J. L. Barco (INTEC) Instituto para el Desarrollo Tecnológico de la Industria Química, Universidad Nacional del Litoral y Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas.
  • J. Ferrón (INTEC) Instituto para el Desarrollo Tecnológico de la Industria Química, Universidad Nacional del Litoral y Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas.

Resumen

Hemos estudiado las primeras etapas de la oxidación superficial de GaAs utilizando la Espectroscopia de Electrones auger (AES). Mediante la aplicación de la técnica de Análisis de Factores (FA) determinamos el número de compuestos presentes en la superficie. La evolución de la reacción fue seguida a través de la variación relativa de las transiciones Auger MVV del As y MMM del Ga; la concentración de oxígeno se determinó con la evolución de los niveles KLL del mismo. Determinamos hasta dos compuestos para toda la estructura GaAs, así como también para los picos de As y Ga, dentro de nuestro rango de exposición.

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Publicado

2013-09-17