MODELIZACIÓN COMPUTACIONAL DE REDES MEMRISTORES: INFLUENCIA DE LA CONECTIVIDAD Y LAS CONDICIONES AMBIENTALES EN SU RESPUESTA ELÉCTRICA

Autores/as

  • J. Furlanetto Instituto Sabato, Universidad Nacional de San Mart´ın – Comisi´on Nacional de Energ´ıa At´omica, Avda. General Paz 1499, C1650 San Mart´ın, Prov. de Buenos Aires
  • R. Weht 1 Instituto Sabato, Universidad Nacional de San Mart´ın – Comisi´on Nacional de Energ´ıa At´omica, Avda. General Paz 1499, C1650 San Mart´ın, Prov. de Buenos Aires 2Departamento F´ısica de la Materia Condensada, Comisi´on Nacional de Energ´ıa At´omica – CONICET, Avda. General Paz 1499, C1650 San Mart´ın, Prov. de Buenos Aires
  • C. Quinteros Instituto de Ciencias F´ısicas (ICIFI), Universidad Nacional de San Mart´ın - CONICET, 25 de Mayo y Francia, C1650 San Mart´ın, Provincia de Buenos Aires

Resumen

Con la perspectiva de implementar sistemas neuromórficos con redes de memristores, presentamos una plataformanumérico-computacional que permite estudiar sus propiedades de transporte eléctrico. La misma consta de: una funciónque describe el comportamiento del memristor individual (la cual permite considerar un caso experimental de interés)y un diagrama genérico de conexión entre memristores. Utilizando esta plataforma, se estudian redes bidimensionalesde diferentes tamaños incorporando también efectos ambientales (tales como humedad y temperatura). Además, selec-cionando los puertos eléctricamente accesibles se evalúa el impacto de la conectividad en las propiedades eléctricas dela red. Los resultados indican que, más allá de las características individuales de los memristores (determinadas por elmodelo elegido), tanto el grado de conectividad, la topología del conexionado, y las condiciones ambientales influyensignificativamente en la respuesta eléctrica macroscópica de las redes.

Palabras Clave: Redes de memristores, Dispositivos neuromórficos.

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Publicado

2024-09-29 — Actualizado el 2024-11-26

Número

Sección

Materia Condensada