INFLUENCIA DE LA LONGITUD DE ONDA DE IRRADIACIÓN EN LA FOTODISOCIACIÓN DEL SiF4

Autores/as

  • A. N. Alcaraz UBA
  • J. Codnia Centro de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones CEILAP (CITEFA-CONICET)
  • M. L. Azcárate Centro de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones CEILAP (CITEFA-CONICET)

Resumen

En el presente trabajo se estudió la influencia de la longitud de onda de irradiación en la disociación multifotónica IR (DMFIR) del SiF4. Para ello se irradiaron mezclas de SiF4 e H2 con distintas líneas vibro-rotacionales de la banda de emisión en 9,6 micrometros de un láser de CO2 TEA. El H2 se utilizó para inhibir la reacción de recombinación de los radicales (SiF3 y F) generados en la fotodisociación. La desaparición de la molécula precursora SiF4 y la aparición del producto SiF3H fue caracterizada por espectrometria FTIR. Se determinó la probabilidad de disociación por pulso en función de la fluencia del láser.

Biografía del autor/a

A. N. Alcaraz, UBA

Dpto. Física, Facultad de Ingeniería

M. L. Azcárate, Centro de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones CEILAP (CITEFA-CONICET)

Carrera del Investigador CONICET

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Publicado

2003-03-23