CONDUCTIVIDAD NO-ÓHMICA EN SILICIO DOPADO NANOCRISTALINO: EFECTO DEL CAMPO APLICADO

Resumen

En este trabajo presentamos los resultados de mediciones de conductividad a oscuras en películas delgadas de silicio nanocristalino dopado con boro, en función del campo eléctrico aplicado. La conductividad se midió variando la temperatura entre 270 K y 450 K, y el campo eléctrico (F) aplicado en el rango 0,1 - 2 x104 V/cm. Se observaron diferentes comportamientos, óhmico y no-óhmico para distintos rangos del campo. En la región de campos débiles (inferiores a 9 V/cm), la conductividad presenta un decrecimiento con el campo según una función ~ exp[-(F)1/4­]. En la región de campos intensos (superiores a 9 x 10 2 V/cm) la conductividad crece con el campo como ~ exp(F), y en la región intermedia, la conductividad es independiente del campo aplicado.