CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA DE DISPOSITIVOS MOSFET IRRADIADOS CON FUENTE DE 60Co

Autores/as

  • R. Lombardi Facultad de ingeniería - Universidad de Buenos Aires.
  • G. Redin Facultad de ingeniería - Universidad de Buenos Aires.
  • A. Vercik Facultad de ingeniería - Universidad de Buenos Aires.
  • A. Faigon Facultad de ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Resumen

El propósito de este trabajo es discriminar mecanismos de degradación de dispositivos MOS, luego de ser irradiados con rayos gamma. Se realizaron en Corona previa y posterior a la irradiación mediciones características Capacidad vs Voltaje, y Corriente de Sumidero vs Tensión de puerta. El aparente efecto de recuperación observado en el seguimiento de los corrimientos de la tensión de encendido puede ser explicado mediante la combinación de dos fenómenos acumulativos: la carga en el óxido, y la creación de estados de interfaz durante la irradiación.

Biografía del autor/a

R. Lombardi, Facultad de ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica.
Paseo Colón 850 (1063) - Buenos Aires – Argentina.

G. Redin, Facultad de ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica.
Paseo Colón 850 (1063) - Buenos Aires – Argentina.

A. Vercik, Facultad de ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica.
Paseo Colón 850 (1063) - Buenos Aires – Argentina.

A. Faigon, Facultad de ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica.
Paseo Colón 850 (1063) - Buenos Aires – Argentina.

Descargas

Publicado

2013-05-29

Número

Vol. 9 Núm. 1 (1998): ANALES AFA - Volumen 09 - San Luis

Sección

Otros