APLICACIÓN DEL MODELO DE LA CORRIENTE DE SUBUMBRAL PARA DETERMINACIÓN DE ESTADOS SUPERFICIALES RAPIDOS

Resumen

En el marco de un estudio sobre daños por radiación en dispositivos Metal Oxido Semiconductor, se puso a punto un método para determinar la creación de estados de interfaz por la irradiación, a partir de la medición de la corriente subumbral en transistores y se lo comparó con el método convencional. Los resultados, para irradiaciones con fuente de 60Co con dosis integradas de 1 a 4 kGy, muestran una dependencia lineal entre el cuadrado del número de nuevos estados creados y la dosis correspondiente. Del análisis de las características capacidad-voltaje, los estados creados serían del tipo donor.