INIERACCIONES HIPERFINAS DE 111Cd EN MONOCRISTALES DE InSe - Shitu, J.; Damonte, L.; Mendoza Zelis, L.; Pasquevich, A. F.; Sánchez, F. H.; Mari, B. (ANALES AFA, 2013)
El semiconductor InSe es un material de interés tecnológico debido a las propiedades de "switching" qué posee. En orden a investigar la relación entre esta propiedad macroscópica y las interacciones hiperfinas de impurezas aceptoras de Cd, se llevaron a cabo determinaciones de Ias interacciones cuadrupolares eléctricas de impurezas de 111Cd en muestras mono y policristalinas de InSe, utilizando como técnica experimental las Correlaciones Angulares Perturbadas. Se comparan los resultados obtenidos experimentalmente con cálculos teóricos realizados usando un modelo de cargas puntuales.