ESTUDIO DE LA CINÉTICA DE OXIDACIÓN DE GaAs(100) A PRESIÓN ATMOSFÉRICA MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER - Passeggi (H), M. G. G.; Koropecki, R.; Ferrón, J.; Molinas, B.; Guadalupi, G. M. (ANALES AFA, 2013)
En este trabajo se estudia a través de Espectroscopia de Electrones Auger (EEA) y de perfiles de concentraciones en profundidad por bombardeo con iones de Ar+, la evolución de una muestra de GaAs(100) tipo "Epi-ready" a presión atmosférica. Además, con propósitos comparativos se estudia la evolución de muestras de GaAs(100) preparadas bajo dos procesos conocidos de pie-tratamiento química Los resultados muestran que la señal de oxigeno para la superficie "Epi-ready" evoluciona durante un tiempo de 5 meses. El incremento en la intensidad de la señal de oxígeno va acompañado por un corrimiento de un frente de oxidación a medida que se incrementa la exposición. Este comportamiento puede observarse mediante indicadores obtenidos a partir del estudio de la forma línea de los espectros Auger de baja energía de GaAs, Por otro lado, la muestra "Epi-ready" presenta una capa de óxido superficial previo a la exposición al aire, y las muestras pre-tratadas muestran en la superficie una señal intensa de As.