SILICIO MICROCRISTALINO INTRÍNSECO DEPOSITADO POR PECVD DE ALTA FRECUENCIA A MUY BAJA TEMPERATURA - Concari, S. B.; Buitrago, H.; Risso, G.; Cutrera, M.; Battioni, M. (ANALES AFA, 2013)
Este trabajo se centra en determinar correlaciones entre las propiedades ópticas y de transporte eléctrico con las condiciones de deposición, de películas de silicio microcristalino preparadas sobre vidrio corning 7059 en un reactor de PECVD a alta frecuencia de RF. La dilución en hidrógeno del gas silano usado como reactivo fue variada en el rango (2-6 %). La potencia de RF., el flujo gaseoso, la presión total y la temperatura del sustrato fueron variadas dentro de un amplio rango. Las propiedades de tensión-comprensión de las películas resultaron ser muy sensibles a la temperatura del sustrato y flujo del gas. Para evitar que las películas se desprendieran del sustrato, se requirió un flujo gaseoso de 40 sscm y muy baja temperatura de deposición ( 170 C), obteniéndose un material apto para uso foto voltaico. Cada muestra fue caracterizada a través de mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectro de dispersión Raman y espectro de transmitancia UV-Vis. Se obtuvieron películas de silicio con fracción de microcristalinidad superior al 80 %, conductividad a oscuras mayor que 10-3 (Ωcm)-1, fotoconductividad muy estable bajo iluminación, y correlaciones interesantes entre grado de cristalinidad y coeficiente de absorción y conductividad.