DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA DEL GRADIENTE DE CAMPO ELÉCTRICO EN "BIXBITAS" USANDO 181Hf COMO SONDA - Rentería, M; Bibiloni, A G; Pasquevich, A F; Requejo, F G; Shitu, J; Freitag, K (ANALES AFA, 2013)
La dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios de catión en los sesquióxidos que cristalizan en la estructura de la bixbita (Mn2O3) parece depender fuertemente de la configuración electrónica de la impureza utilizada como sonda de Correlaciones Angulares Perturbadas. El estudio de esta propiedad en el conjunto de estos óxidos presenta la posibilidad de profundizar el conocimiento existente sobre las contribuciones no iónicas al GCE. En este trabajo se presentan los primeros resultados del estudio de la dependencia con la temperatura del GCE en impurezas 181Ta localizadas en los dos sitios de catión (libres de defectos) no equivalentes existentes en estas estructuras. Estos resultados son comparados con los obtenidos con la sonda 111Cd en el mismo conjunto de óxidos y analizados a la luz de modelos del sólido dependientes de la temperatura.