CREACIÓN DE TRAMPAS Y ESTADOS DE INTERFASE EN PELÍCULAS DELGADAS DE OXINITRURO DE SILICIO EN ESTRUCTURAS M.O.S. - Faigón, A; Stravoni, A; Miranda, E; Redin, G (ANALES AFA, 2013)
Se investigó la degradación de películas delgadas de óxido de silicio nitrurado en plasma de amonia, incorporadas como aislante de grilla en estructuras Metal Óxido Semiconductor sometidas a inyección de carga por efecto túnel. Comparando con resultados obtenidos sobre películas de SiO2 de tecnología standard, se observa una tasa de creación de trampas inferior por un factor 2 y una creación de estados superficiales en la interface con el silicio menor por un orden de magnitud.