JUNTURAS Si-POROSO/SnO2:F. EFECTO DEL DOPAJE EN LAS PROPIEDADES ELECTRICAS Y ESTRUCTURALES - Garcés, F.; Acquaroli, L. N.; Dussan, A.; Koropecki, R. R.; Arce, R. D. (ANALES AFA, 2010)
En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada.