OBTENCIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS DE SILICIO POLICRISTALINO A PARTIR DE CLOROSILANOS EN REACTORES DE CVD - Benvenuto, A. G.; Schmidt, J. A.; Buitrago, R. H. (ANALES AFA, 2010)
En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato.