SENSIBILIDAD A H2 DE DISPOSITIVOS MOS CON COMPUERTA DE MOLIBDENO - Lombardi, R. M.; Aragón, R. (ANALES AFA, 2003)
Se caracterizó la respuesta eléctrica al hidrógeno gaseoso de dispositivos MOS con compuerta de molibdeno. La sensibilidad del dispositivo se evaluó mediante características de capacidad-tensión en N2 y en H2 (1000 ppm en N2) a temperaturas de 77 y 125 °C, a 220 kHz. A 125°C el corrimiento negativo de la tensión de banda plana es de 240 mV, con un estímulo de 1000 ppm de H2 en N2.