CARACTERIZACIÓN ELÉCTRICA DE DISPOSITIVOS MOSFET IRRADIADOS CON FUENTE DE 60Co - Lombardi, R.; Redin, G.; Vercik, A.; Faigon, A. (ANALES AFA, 2013)
El propósito de este trabajo es discriminar mecanismos de degradación de dispositivos MOS, luego de ser irradiados con rayos gamma. Se realizaron en Corona previa y posterior a la irradiación mediciones características Capacidad vs Voltaje, y Corriente de Sumidero vs Tensión de puerta. El aparente efecto de recuperación observado en el seguimiento de los corrimientos de la tensión de encendido puede ser explicado mediante la combinación de dos fenómenos acumulativos: la carga en el óxido, y la creación de estados de interfaz durante la irradiación.