[1]
G. Olmos, C. Spies, R. R. Koropecki, R. D. Arce, y J. A. Sschmidt, «DECAIMIENTO DE LA FOTOLUMINISCENCIA EN SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO OBTENIDO A PARTIR DE MATERIAL TIPO N DE ALTA RESISTIVIDAD», AnAFA, vol. 16, n.º 1, jun. 2004.