CAPAS DELGADAS DE SnO2/Sb2O3

Autores/as

  • S B Schujman Centro Atómico Bariloche
  • V Saura Centro Atómico Bariloche

Resumen

Numerosos estudios han sido realizados en capas delgadas de SnO2:Sb preparadas por el método de pulverización pirolítica, debido a las ventajas que presentan en cuanto a su utilización como ventana en dispositivos optoelectrónicos. En general dichos trabajos concuerdan en que, para dopajes con Sb del orden del 20% M. las capas resultan ser amorfas con una alta resistividad eléctrica. Dado que en nuestras muestras ésto no se observa, realizamos un estudio sistemático de propiedades estructurales y de composición química para dopajes desde 0% hasta un 100% M de antimonio.

Biografía del autor/a

S B Schujman, Centro Atómico Bariloche

División Dispositivos Semiconductores, Departamento de Investigación Aplicada

V Saura, Centro Atómico Bariloche

División Dispositivos Semiconductores, Departamento de Investigación Aplicada

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Publicado

2013-09-22