RESPUESTAS ESPECTRALES MAYORES A UNO EN JUNTURAS n-i-p de μc-Si:H

  • F A Rubinelli Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC), Universidad Nacional del Litoral (UNL), CONICET
  • M De Greef Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (INTEC), Universidad Nacional del Litoral (UNL), CONICET

Resumen

Respuestas espectrales (SR) por encima de la unidad en el azul aún no se han observadas en dispositivos p-i-n de c- Si:H optimizados para aplicaciones fotovoltaicas o detección de luz al iluminarlos con una luz de polarización roja, efecto conocido como “Photo-gating” Complementario. Calibrando los datos de entrada del código D-AMPS median- te el ajuste de curvas experimentales SR y corriente-tensión (J-V) se exploraron las condiciones necesarias para pre- decir SR > 1 en el azul. Se determinó que sería necesario la existencia de una interfaz p/i defectuosa con una densidad elevada de defectos. El haz de prueba en la zona azul modula la concentración de portadores en la interfaz p/i defec- tuosa y en la zona frontal de la capa intrínseca dando lugar a un incremento de la intensidad del campo eléctrico en la capa intrínseca junto a su debilitamiento en las capas dopada (p) e interfaz p/i que a su vez dan lugar a una disminu- ción de la tasa de recombinación generándose una ganancia y una SR > 1. El fenómeno puede observarse en junturas con capas dopadas (p)-aSiC:H de elevado gap de movilidad como con capas (p)-mc-Si:H de bajo gap de movilidad siempre que las mismas no presenten una incorporación muy eficiente del boro. Las SR > 1 son muy sensibles a parámetros eléctricos de la interfaz p/i como el gap de movilidad, el espesor, la densidad de defectos, las movilidades y las secciones eficaces de captura de trampas donoras, etc, y a la densidad de boro en la capa (p). Las respuestas anómalas también muestran una gran sensibilidad al contenido espectral de la luz de polarización.
Publicado
2016-04-20
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RUBINELLI, F A; DE GREEF, M. RESPUESTAS ESPECTRALES MAYORES A UNO EN JUNTURAS n-i-p de μc-Si:H. ANALES AFA, [S.l.], v. 27, n. 1, abr. 2016. ISSN 1850-1168. Disponible en: <https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/2078>. Fecha de acceso: 13 jun. 2021
Sección
Materia Condensada