FOTÓLISIS IR DE FENILSILANO

  • C Toro Salazar Departamento de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones (CITEDEF - UNIDEF-CONICET)
  • J Codnia Departamento de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones (CITEDEF - UNIDEF-CONICET)
  • M L Azcárate Departamento de Investigaciones en Láseres y Aplicaciones (CITEDEF - UNIDEF-CONICET) Carrera del Investigador CONICET

Resumen

Las celdas solares y la microelectrónica utilizan películas de silicio. El fenilsilano ha resultado un precursor eficiente para la producción de películas delgadas de Si. En este trabajo se estudió la disociación multifotónica infraroja de fenilsilano en un jet molecular en el intervalo de fluencias entre 0,16 y 160 J/cm2 determinando los productos de la disociación en tiempo real por espectrometría de masas de tiempo de vuelo. Se encontró que en el intervalo de fluencias utilizado ocurre solamente la reacción de tres centros de eliminación de H2. Se determinó la cinética del radical fenilsilileno evidenciando que se descompone produciendo SiH, C2, y butadieno.
Publicado
2016-04-01
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TORO SALAZAR, C; CODNIA, J; AZCÁRATE, M L. FOTÓLISIS IR DE FENILSILANO. ANALES AFA, [S.l.], v. 27, n. 1, abr. 2016. ISSN 1850-1168. Disponible en: <https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/2079>. Fecha de acceso: 13 jun. 2021
Sección
Óptica y Fotofísica