DINÁMICA DE CLUSTERS DE VACANCIAS EN SILICIO

  • N. Smetniansky-De Grande CNEA
  • M. Alurralde CNEA
  • J. R. Fernández CONICET, CNEA

Resumen

Se estudia la dinámica de aglomerados de vacancias en Silicio utilizando un modelo computacional en la aproximación del continuo. El modelo considera que las vacancias, generadas por activación térmica o por irradiación, pueden difundir y agruparse formando aglomerados y que la variación del tamaño de estos últimos sedebe a la absorción o emisión de una vacancia por vez. Se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados y su dependencia con la irradiación y la temperatura. Los resultados muestran que aún a temperaturas relativamente bajas (100°C) y a bajos valores de irradiación, la aglomeración de vacancias se ve favorecida por la irradiación de protones.

Biografía del autor

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Proy. Pierre Auger, Dpto. de Física, CAC, CNEA
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Energía Solar, Dpto. de Física, CAC, CNEA
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CONICET - Teoría de Def. y Mec. del Continuo, Dpto. de Materiales, CAC, CNEA
Publicado
2007-06-18
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SMETNIANSKY-DE GRANDE, N.; ALURRALDE, M.; FERNÁNDEZ, J. R.. DINÁMICA DE CLUSTERS DE VACANCIAS EN SILICIO. ANALES AFA, [S.l.], v. 19, n. 1, jun. 2007. ISSN 1850-1168. Disponible en: <https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/244>. Fecha de acceso: 24 abr. 2019