MODELADO DE LA EVOLUCIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES EN Si

  • N. Smetniansky - De Grande CNEA - Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA
  • M. Alurralde CNEA - Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA
  • J. R. Fernández Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA - CONICET

Resumen

En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglomerados. En una segunda etapa se reemplaza éste por el algoritmo de Bortz, Kalos y Lebowitz que permite acelerar los tiempos de simulación cuando el algoritmo anterior se hace ineficiente. Los resultados obtenidos con la aplicación de ambos algoritmos se comparan con los correspondientes a un trabajo previo basado en un modelo de evolución en el continuo.

Biografía del autor

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Energía Solar, Dpto. de Física (CAC - CNEA)
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Energía Solar, Dpto. de Física (CAC - CNEA)
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Dpto. de Materiales (CAC - CNEA)
Publicado
2009-06-03
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SMETNIANSKY - DE GRANDE, N.; ALURRALDE, M.; FERNÁNDEZ, J. R.. MODELADO DE LA EVOLUCIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES EN Si. ANALES AFA, [S.l.], v. 21, n. 1, jun. 2009. ISSN 1850-1168. Disponible en: <https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/64>. Fecha de acceso: 24 abr. 2019