CRECIMIENTO DE PELÍCULAS ULTRA-DELGADAS DE AISLADORES SOBRE UNA SUPERFICIE METÁLICA: AlF3 SOBRE Cu(100)

J. C. Moreno-López; G. Ruano; R. A. Vidal; M.C. G. Passeggi; J. Ferrón

Autores/as

J. C. Moreno-López Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (CONICET-UNL)
G. Ruano Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (CONICET-UNL)
R. A. Vidal Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (CONICET-UNL)
M.C. G. Passeggi Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (CONICET-UNL)
J. Ferrón Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química - Universidad Nacional del Litoral (UNL) - CONICET

Resumen

En este trabajo caracterizamos el crecimiento de películas de fluoruro de aluminio (AlF3) sobre Cu(100) mediantela técnica de microscopia túnel de barrido (STM). Las imágenes túnel muestran que a medida que van creciendoen tamaño las islas de fluoruro de aluminio, éstas experimentan una transición en su forma a bajosrecubrimientos, de compacta a fractal (ramificada). Las islas de forma ramificada crecen lateralmente formandouna película bidimensional hasta un recubrimiento de 0.80 monocapas. A mayores recubrimientos el crecimientodel tipo 2D cambia a 3D. Para obtener las imágenes túnel fue necesario utilizar altos voltajes (V≥2.50 V) lo cualmuestra el carácter aislador de las islas de fluoruro de aluminio.