CÁLCULO Y DETERMINACIÓN DEL BAND GAP DEL COMPUESTO GeS

Autores/as

  • L. Makinistian Facultad de Ingeniería, Univ. Nac. de Entre Ríos.
  • E. A. Albanesi Facultad de Ingeniería, Univ. Nac. de Entre Ríos. INTEC-CONICET.

Resumen

Los datos experimentales existentes del tipo y ubicación del band gap del sulfuro de germanio son controversiales entre sí, y con los modelos de cálculo de bandas utilizados hasta el presente en este material. Para dilucidar esta situación, hemos realizado un cálculo ab-initio de su estructura electrónica, utilizando para el potencial de intercambio y correlación, las aproximaciones LDA y GGA. Asimismo hemos realizado estos cálculos con y sin la inclusión de la interacción spin-órbita. Nuestros resultados coinciden en la obtención del valor del band gap, pero difieren con los cálculos de bandas existentes hasta el presente, en que obtenemos varios mínimos relativos en la banda de conducción, que darían lugar al gap. Este hecho permite explicar la diversidad de resultados experimentales existentes, lo que también es consecuencia de la fuerte anisotropía del cristal.

Biografía del autor/a

L. Makinistian, Facultad de Ingeniería, Univ. Nac. de Entre Ríos.

Entre Ríos, 3100 Oro Verde (ER), Argentina.

E. A. Albanesi, Facultad de Ingeniería, Univ. Nac. de Entre Ríos. INTEC-CONICET.

Entre Ríos, 3100 Oro Verde (ER), Argentina.
Güemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina.

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Publicado

2004-06-19