MODELADO DE LA EVOLUCIÓN DE DEFECTOS PUNTUALES EN Si

Autores/as

  • N. Smetniansky - De Grande CNEA - Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA
  • M. Alurralde CNEA - Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA
  • J. R. Fernández Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA - CONICET

Resumen

En este trabajo se estudia la movilidad y aglomeración de vacancias, utilizando la técnica de Monte Carlo cinético, en la red cristalina del Si a temperaturas relativamente bajas. En una primera etapa se utiliza el algoritmo de Metrópolis para simular el proceso de nucleación y crecimiento de aglomerados. En una segunda etapa se reemplaza éste por el algoritmo de Bortz, Kalos y Lebowitz que permite acelerar los tiempos de simulación cuando el algoritmo anterior se hace ineficiente. Los resultados obtenidos con la aplicación de ambos algoritmos se comparan con los correspondientes a un trabajo previo basado en un modelo de evolución en el continuo.

Biografía del autor/a

N. Smetniansky - De Grande, CNEA - Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA

Energía Solar, Dpto. de Física (CAC - CNEA)

M. Alurralde, CNEA - Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA

Energía Solar, Dpto. de Física (CAC - CNEA)

J. R. Fernández, Instituto Sabato, Univ. Nac. de San Martín/CNEA - CONICET

Dpto. de Materiales (CAC - CNEA)

Publicado

2009-06-03