ESTUDIO DE LAS INTERFASES ÁLCALI - SEMICONDUCTOR Y ÁLCALI - METAL USANDO ESPECTROSCOPÍA AUGER Y ANÁLISIS DE COMPONENTES PRINCIPALES

Autores/as

  • M. C. G. Passeggi Grupo de Física de Superficies, INTEC (CONICET- Univ. Nac. del Litoral)
  • R. Vaquila Grupo de Física de Superficies, INTEC (CONICET- Univ. Nac. del Litoral) Departamento de Física, Fac. Ing. Química (Univ. Nac. del Litoral)
  • R. Vidal Grupo de Física de Superficies, INTEC (CONICET- Univ. Nac. del Litoral)
  • J. Ferron Grupo de Física de Superficies, INTEC (CONICET- Univ. Nac. del Litoral)

Resumen

Mediante el uso de Espectroscopía de Electrones Auger (EEA) y Análisis de Componentes Principales (ACP), estudiamos el crecimiento de las interfases K/GaAs, K/Si y K/Cu a temperatura ambiente. El ACP de la línea Auger del K, en el caso de K/GaAs, revela la existencia de tres componentes puras. El desdoblamiento, sin cambio de forma, de la línea correspondiente a las dos primeras componentes sugiere la formación de complejos alcalinos de diferente tamaño en la superficie. El cambio de forma de la línea correspondiente a la tercer componente, sugiere la existencia de una reacción química en la interfase K/GaAs. Las interfases K/Si y K/Cu, por el contrario, presentan sólo las dos componentes correspondiente al desdoblamiento, sugiriendo interfases no reactivas.

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Publicado

2013-08-25