ESTUDIO DE LAS INTERFASES ÁLCALI - SEMICONDUCTOR Y ÁLCALI - METAL USANDO ESPECTROSCOPÍA AUGER Y ANÁLISIS DE COMPONENTES PRINCIPALES

Abstract

Mediante el uso de Espectroscopía de Electrones Auger (EEA) y Análisis de Componentes Principales (ACP), estudiamos el crecimiento de las interfases K/GaAs, K/Si y K/Cu a temperatura ambiente. El ACP de la línea Auger del K, en el caso de K/GaAs, revela la existencia de tres componentes puras. El desdoblamiento, sin cambio de forma, de la línea correspondiente a las dos primeras componentes sugiere la formación de complejos alcalinos de diferente tamaño en la superficie. El cambio de forma de la línea correspondiente a la tercer componente, sugiere la existencia de una reacción química en la interfase K/GaAs. Las interfases K/Si y K/Cu, por el contrario, presentan sólo las dos componentes correspondiente al desdoblamiento, sugiriendo interfases no reactivas.