INTERDIFUSIÓN EN PELICULAS DE HG1-xCDxTE SOBRE CD TE

Autores/as

  • A B Trigubo Programa de Investigación en Sólidos (PRINSO), Centro de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas (CITEFA-CONICET)
  • N E Walsoe de Reca Programa de Investigación en Sólidos (PRINSO), Centro de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas (CITEFA-CONICET)

Resumen

Se crecen películas de HG1-xCdxTe (MCT) con x=0,2 por la técnica de VPE (epitaxia en fase vapor) sobre CdTe orientado (111)Te, (111)Cd, (110) y (110), en un rango de temperaturas (593± 1)°C<T<(615±1)°C con una sobrepresión de HG de 1,9atm. Los "Films" se caracterizaron estructural y eléctricamente. Los perfiles de difusión (concentración) fueron analizados con microsonda electrónica y la distribución de dislocaciones fue estudiada sobre planos de clivaje (110). Los coeficientes de interdifusión fueron medidos con dos métodos diferentes. Se estudió la distribución de los agujeros hallados en la interfase de algunos crecimientos y se discuten las causas de su aparición.

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Publicado

2013-09-18

Número

Vol. 4 Núm. 1 (1993): ANALES AFA - Volumen 4 No 1 - Buenos Aires

Sección

Superficies y Películas delgadas