INTERDIFUSIÓN EN PELICULAS DE HG1-xCDxTE SOBRE CD TE

Authors

  • A B Trigubo Programa de Investigación en Sólidos (PRINSO), Centro de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas (CITEFA-CONICET)
  • N E Walsoe de Reca Programa de Investigación en Sólidos (PRINSO), Centro de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas (CITEFA-CONICET)

Abstract

Se crecen películas de HG1-xCdxTe (MCT) con x=0,2 por la técnica de VPE (epitaxia en fase vapor) sobre CdTe orientado (111)Te, (111)Cd, (110) y (110), en un rango de temperaturas (593± 1)°C<T<(615±1)°C con una sobrepresión de HG de 1,9atm. Los "Films" se caracterizaron estructural y eléctricamente. Los perfiles de difusión (concentración) fueron analizados con microsonda electrónica y la distribución de dislocaciones fue estudiada sobre planos de clivaje (110). Los coeficientes de interdifusión fueron medidos con dos métodos diferentes. Se estudió la distribución de los agujeros hallados en la interfase de algunos crecimientos y se discuten las causas de su aparición.

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Published

2013-09-18

Issue

Vol. 4 No. 1 (1993): ANALES AFA - Volumen 4 No 1 - Buenos Aires

Section

Surfaces and thin films