Esta es un versión antigua publicada el 2024-09-29. Consulte la versión más reciente.

MODELIZACIÓN COMPUTACIONAL DE REDES MEMRISTORES: INFLUENCIA DE LA CONECTIVIDAD Y LAS CONDICIONES AMBIENTALES EN SU RESPUESTA ELÉCTRICA

Autores/as

  • J. Furlanetto Instituto Sabato, Universidad Nacional de San Mart´ın – Comisi´on Nacional de Energ´ıa At´omica, Avda. General Paz 1499, C1650 San Mart´ın, Prov. de Buenos Aires
  • R. Weht 1 Instituto Sabato, Universidad Nacional de San Mart´ın – Comisi´on Nacional de Energ´ıa At´omica, Avda. General Paz 1499, C1650 San Mart´ın, Prov. de Buenos Aires 2Departamento F´ısica de la Materia Condensada, Comisi´on Nacional de Energ´ıa At´omica – CONICET, Avda. General Paz 1499, C1650 San Mart´ın, Prov. de Buenos Aires
  • C. Quinteros Instituto de Ciencias F´ısicas (ICIFI), Universidad Nacional de San Mart´ın - CONICET, 25 de Mayo y Francia, C1650 San Mart´ın, Provincia de Buenos Aires

Resumen

Con la perspectiva de implementar sistemas neuromórficos con redes de memristores, presentamos una plataforma
numérico-computacional que permite estudiar sus propiedades de transporte eléctrico. La misma consta de: una función
que describe el comportamiento del memristor individual (la cual permite considerar un caso experimental de interés)
y un diagrama genérico de conexión entre memristores. Utilizando esta plataforma, se estudian redes bidimensionales
de diferentes tamaños incorporando también efectos ambientales (tales como humedad y temperatura). Además, seleccionando los puertos eléctricamente accesibles se evalúa el impacto de la conectividad en las propiedades eléctricas de
la red. Los resultados indican que, más allá de las características individuales de los memristores (determinadas por el
modelo elegido), tanto el grado de conectividad, la topología del conexionado, y las condiciones ambientales influyen
significativamente en la respuesta eléctrica macroscópica de las redes.

Descargas

Publicado

2024-09-29

Versiones

Número

Sección

Materia Condensada