NÚMERO DE PORTADORES DE CARGA Y RESISTENCIA ELÉCTRICA DE UN PUNTO CUÁNTICO DE GRAFENO

Resumen

El presente trabajo aborda el estudio teórico del número de portadores de carga  y de la resistencia eléctrica de un sistema de punto cuántico de grafeno; con este fin se parte de la densidad de estados de sistemas  dimensionales que se representa por medio de la función delta de Dirac y se consideran los niveles de energía para un modelo de punto cuántico de grafeno sometido a un potencial constante , los resultados muestran una influencia de parámetros propios del modelo como la longitud magnética , el tamaño del punto cuántico  y de la energía de Fermi  a . Mientras que para la resistencia eléctrica se propone que la conducción de las cuasipartículas se da en el borde del punto cuántico debido a la influencia de campos magnéticos fuertes y del acople spin orbita, lo que permite hallar la corriente eléctrica por estado cuántico y a su vez la corriente eléctrica total al conocer el número de estados cuánticos permitidos en un ; los valores de resistencia eléctrica dan en el orden de  lo que concuerda con estudios experimentales reportados en la literatura y además se resalta la dependencia con el tamaño del punto  y el campo magnético .