JUNTURAS Si-POROSO/SnO2:F. EFECTO DEL DOPAJE EN LAS PROPIEDADES ELECTRICAS Y ESTRUCTURALES

Autores/as

  • F. Garcés INTEC-CONICET - Universidad Nacional del Litoral
  • L. N. Acquaroli INTEC-CONICET - Universidad Nacional del Litoral
  • A. Dussan
  • R. R. Koropecki INTEC-CONICET - Universidad Nacional del Litoral
  • R. D. Arce INTEC-CONICET - Universidad Nacional del Litoral. Universidad Nacional de Colombia.

Resumen

En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada.

Biografía del autor/a

F. Garcés, INTEC-CONICET - Universidad Nacional del Litoral

Grupo de Física de semiconductores.
Güemes 3450 (3000) -Santa Fé – Santa Fé, Argentina.

L. N. Acquaroli, INTEC-CONICET - Universidad Nacional del Litoral

Grupo de Física de semiconductores.
Güemes 3450 (3000) -Santa Fé – Santa Fé, Argentina.

R. R. Koropecki, INTEC-CONICET - Universidad Nacional del Litoral

Grupo de Física de semiconductores.
Güemes 3450 (3000) -Santa Fé – Santa Fé, Argentina.

R. D. Arce, INTEC-CONICET - Universidad Nacional del Litoral. Universidad Nacional de Colombia.

Grupo de Física de semiconductores.
Güemes 3450 (3000) -Santa Fé – Santa Fé, Argentina.
Departamenteo de Física, Bogota, Colombia.

Descargas

Publicado

2010-10-28

Número

Vol. 22 Núm. 2 (2011): ANALES AFA - Volumen 22 No 2 - Malargüe

Sección

Materia Condensada