TRANSITORIOS EN LA CORRIENTE DE TÚNEL EN ESTRUCTURAS POLYSi-SiO2-Si ASOCIADOS A LA CAPTURA-LIBERACIÓN DE CARGA EN EL AISLANTE

Authors

  • E. G. Redin Facultad de Ingeniería - Universidad de Buenos Aires.
  • E. A. Miranda Facultad de Ingeniería - Universidad de Buenos Aires.
  • A. N. Faigón Facultad de Ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Abstract

En este trabajo se muestra que un modelo sencillo para la corriente de túnel a través del óxido de puerta en una estructura polySi-SiO2-Si reproduce fielmente los transitorios de la corriente asociados al fenómeno de atrapamiento-desatrapamiento de carga en el aislante. El mismo se basa en una expresión modificada de la relación de túnel Fowler-Nordheim donde, el campo eléctrico catódico es reemplazado por el campo eléctrico dentro del aislante correspondiente a la energía del nivel de Fermi en el cátodo (Si). El estado de carga del óxido se obtiene a partir del corrimiento de la tensión de bandas planas inducido por la inyección de carga a tensión constante.

Author Biographies

E. G. Redin, Facultad de Ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica.

E. A. Miranda, Facultad de Ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica.

A. N. Faigón, Facultad de Ingeniería - Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica.

Published

2013-08-01