MEDICIÓN DE VIDA MEDIA DE PORTADORES MINORITARIOS EN CELDAS SOLARES DE Si CRISTALINO: UNA VARIANTE DE LA TÉCNICA OCVD

Abstract

Se analiza teórica y experimentalmente una variante de la técnica de decaimiento de la tensión a circuito abierto (OCVD) para la medición de la vida media de portadores minoritarios en la región de la base de celdas solares de silicio monocristalino. En la misma la excitación consiste en una fuente de luz pulsada que aporta la componente de la tensión dependiente del tiempo, sumada a otra de luz continua que contribuye polarizando la celda en directa. En condiciones apropiadas, esta configuración da lugar a un decaimiento de tipo exponencial que simplifica la interpretación de los resultados. El método propuesto demuestra ser potencialmente útil dada la simplicidad de la técnica de medición requerida, la cual permite realizar una estimación inmediata de la vida media de los portadores minoritarios.