PIEZORRESISTIVIDAD EN PELÍCULAS DELGADAS DE AlSb

Authors

  • F. D. Saccone Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires.
  • P. J. Alonso Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires.
  • R. Aragón Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires.

Abstract

Se prepararon películas delgadas de AlSb, de 20 a 100 nm de espesor, por "cosputtering" secuencial de ambos metales, con cátodos tipo magnetrón en corriente continua, sobre sustratos rotatorios. Los depósitos, caracterizados por difracción de electrones y de rayos X de ángulo rasante, son amorfos en ausencia de calentamiento activo y cristalinos para temperaturas de depósito mayores a 200°C. El control independiente de la corriente catódica permite el ajuste de la estequiometría. Se observaron resistividades mayores a 104 W-cm, consistentes con comportamiento semiconductor intrínseco a temperatura ambiente, para muestras estequiométricas. El exceso de aluminio promueve autodopado "p" con resistividades de 0,496 W-cm y de 5,35x10-3 W-cm en depósitos amorfo y cristalino respectivamente, medidas en geometría de van der Pauw, para NAI/NSb =1,5 y espesores de 100 nm. Las películas muestran piezorresistividad concordante con el carácter "gap X" indirecto del AlSb, previsto por la teoría de valles múltiples. El factor de "gauge " longitudinal, medido por el método del cantilever, es γL=6.2 y γL =28.5 para películas amorfas y cristalinas respectivamente.

Author Biographies

F. D. Saccone, Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Películas Delgadas, Departamento de Física.

P. J. Alonso, Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Películas Delgadas, Departamento de Física.

R. Aragón, Facultad de Ingeniería, Universidad de Buenos Aires.

Laboratorio de Películas Delgadas, Departamento de Física.

Published

2013-08-01