PIEZORRESISTIVIDAD EN PELÍCULAS DELGADAS DE AlSb

Abstract

Se prepararon películas delgadas de AlSb, de 20 a 100 nm de espesor, por "cosputtering" secuencial de ambos metales, con cátodos tipo magnetrón en corriente continua, sobre sustratos rotatorios. Los depósitos, caracterizados por difracción de electrones y de rayos X de ángulo rasante, son amorfos en ausencia de calentamiento activo y cristalinos para temperaturas de depósito mayores a 200°C. El control independiente de la corriente catódica permite el ajuste de la estequiometría. Se observaron resistividades mayores a 10⁴ W-cm, consistentes con comportamiento semiconductor intrínseco a temperatura ambiente, para muestras estequiométricas. El exceso de aluminio promueve autodopado "p" con resistividades de 0,496 W-cm y de 5,35x10^-3 W-cm en depósitos amorfo y cristalino respectivamente, medidas en geometría de van der Pauw, para N_AI/N_Sb =1,5 y espesores de 100 nm. Las películas muestran piezorresistividad concordante con el carácter "gap X" indirecto del AlSb, previsto por la teoría de valles múltiples. El factor de "gauge " longitudinal, medido por el método del cantilever, es γL=6.2 y γL =28.5 para películas amorfas y cristalinas respectivamente.