SENSIBILIDAD A NOx EN SENSORES MOS DE COMPUERTA CATALÍTICA POROSA

Abstract

El uso de compuertas de Pd poroso en capacitores MOS, promueve sensibilidad a NOx ambiente. La porosidad inducida por cambio de los parámetros de deposición durante sputtering D.C. fue caracterizada por microscopía electrónica de transmisión. La temperatura y el espesor de depósito tienen efectos opuestos sobre la porosidad; por encima de 200°C se induce epitaxia, inhibiendo la coalescencia y promoviendo porosidad a espesores mayores. La sensibilidad a NOx manifiesta en el corrimiento de la tensión de banda plana de curvas C-V a valores menos negativos, aumenta significativamente para compuertas porosas de 20Á de espesor.