ESTUDIO DEL CRECIMIENTO DE K SOBRE GAAS(LLO) USANDO ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER Y ANÁLISIS DE COMPONENTES PRINCIPALES

Authors

  • M C G Passeggi (h) CONICET - Universidad Nacional del Litoral
  • R Vidal CONICET - Universidad Nacional del Litoral
  • J Ferrón CONICET - Universidad Nacional del Litoral

Abstract

Hemos estudiado el crecimiento de K sobre GaAs(110) usando espectroscopia de electrones Auger (EEA) y análisis de componentes principales (ACP). El ACP revela la existencia de 3 componentes independientes. Los espectros correspondientes a las dos primeras bases tienen la misma forma, desplazados una respecto de la otra 0.6 eV. Este no es compatible con un corrimiento continuo sino con la existencia de un desdoblamiento de la señal de K en dos componentes, este desdoblamiento sugiere la existencia de sitios de adsorción inequivalentes en el GaAs o bien un efecto importante de la interacción K-K en la formación de agregados atómicos. La tercer componente que aparece desde el comienzo de la evaporación revela que la interfase es reactiva.

Author Biographies

M C G Passeggi (h), CONICET - Universidad Nacional del Litoral

Grupo de Física de Superficies, INTEC

R Vidal, CONICET - Universidad Nacional del Litoral

Grupo de Física de Superficies, INTEC

J Ferrón, CONICET - Universidad Nacional del Litoral

Grupo de Física de Superficies, INTEC

Published

2013-08-18