ESTRUCTURA ELECTRÓNICA Y TRANSICIÓN METAL-SEMICONDUCTOR EN CS2AU2C4

Abstract

Se presentan resultados autoconsistentes de la estructura electrónica del Cs2Au2Cl6 en función de la presión, obtenidos con el método full potential LMTO. A presión atmosférica el compuesto presenta un comportamiento semiconductor, mientras que en la fase de alta presión, obtenemos un comportamiento metálico, en un todo de acuerdo con la información experimental. A partir de un análisis detallado de los resultados a medida que varía la presión, se dan argumentos que permiten entender la transición semiconductor-metal observada, como una transición de Peierls.