ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DE LOS COMPUESTOS MIIIPS4

Abstract

Se analiza la estructura electrónica de los compuestos MlllPS4 (MIII = B, Al, Ga, In) usando el método tightbinding. Se correlaciona la estructura electrónica con la estructura atómica, permitiendo comprender los estados atómicos que contribuyen al espectro de fotoemisión (XPS) de la banda de valencia de InPS4. Se identifican las diferencias observables en la densidad de estados, al variar el elemento del grupo III.