MODELO PARA LA EXPLICACIÓN DE CARACTERÍSTICAS C-V ANÓMALAS EN CELDAS DE CdS/CdTe

Abstract

Mediciones de la característica C-V de celdas solares del tipo SnO2/CdS/CdTe/grafito mostraron una dependencia anómala de la capacidad en función de la tensión de polarización inversa del dispositivo. Esencialmente se observó un aumento de C con V que no puede ser explicado por el comportamiento de la unión CdS/CdTe únicamente. Basado en el diagrama de bandas asociado a la celda, proponemos una explicación que considera la existencia de una capacidad asociada a la barrera que existe entre el absorbente y su contacto. Consecuentemente, la dependencia de la capacidad resultante con la polarización del dispositivo es un compromiso entre los comportamientos opuestos de las barreras CdS/CdTe y CdTe/grafito. Efectuamos ajustes de la característica C-V utilizando las densidades de portadores, el área de unión efectiva y el potencial de difusión de la unión CdTe/grafito como variables, repitiendo satisfactoriamente el comportamiento observado. El modelo presentado predice elevadas concentraciones de portadores en la cercanía a ambas interfases, siendo mayores en la de generación fotovoltaica.