Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física.

Abstract

Se investigaron las barreras de túnel en estructuras MOS con aislantes de oxinitruro de silicio obtenidos por nitruración de dióxido de silicio en plasma de amonia. De las oscilaciones de la corriente asociadas a la reflexión parcial de los electrones en la interfase Si-aislante se obtuvo información acerca de la barrera en dicha interfase. Se presenta un cálculo autoconsistente para la determinación de la barrera catódica por el método de Fowler-Nordheim para aislantes delgados. Los resultados obtenidos muestran una disminución en la altura de la barrera catódica con el tiempo de nitruración y que para nitruraciones prolongadas el mecanismo de conducción deja de ser túnel Fowler-Nordheim puro.