TÚNEL EN ESTRUCTURAS ALUMINIO-DIOXIDO DE SILICIO-SILICIO

Authors

  • A Faigón Universidad de Buenos Aires
  • F Campabadal Universidad de Buenos Aires
  • E Miranda Universidad de Buenos Aires
  • G Redin Universidad de Buenos Aires

Abstract

En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Á a 70 Á sobre un extendido rango de corriente 10ˆ-9 < J < 1 Amp/cm2, y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus características salientes son el uso de una relación de dispersión k (E) = k0 constante en la banda prohibida del aislante, y la inclusión de un factor que atenúa la probabilidad de túnel en forma exponencial con la energía medida desde la banda de conducción del aislante. La derivada dlogJ/dV muestra ser una poderosa herramienta para discriminar entre distintos modelos.


Author Biographies

A Faigón, Universidad de Buenos Aires

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física, Facultad de Ingeniería

F Campabadal, Universidad de Buenos Aires

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física, Facultad de Ingeniería

E Miranda, Universidad de Buenos Aires

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física, Facultad de Ingeniería

G Redin, Universidad de Buenos Aires

Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica, Departamento de Física, Facultad de Ingeniería

Published

2013-09-18