TÚNEL EN ESTRUCTURAS ALUMINIO-DIOXIDO DE SILICIO-SILICIO

Abstract

En este trabajo se presentan las características corriente de túnel-voltaje medidas sobre diodos Aluminio-dióxido de Silicio-Silicio con espesor de dieléctrico desde 25 Á a 70 Á sobre un extendido rango de corriente 10ˆ-9 < J < 1 Amp/cm2, y un sencillo modelo que da cuenta de las mismas. Sus características salientes son el uso de una relación de dispersión k (E) = k0 constante en la banda prohibida del aislante, y la inclusión de un factor que atenúa la probabilidad de túnel en forma exponencial con la energía medida desde la banda de conducción del aislante. La derivada dlogJ/dV muestra ser una poderosa herramienta para discriminar entre distintos modelos.