ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DEL Cd COMO IMPUREZA EN Si

Abstract

Se analiza la estructura electrónica del Cd como impureza en Si. Utilizando el método de Huckel extendido, se presentan resultados de clusters para impurezas de Cd en sitios sustitucionales e intersticiales de simetría tetrahédrica. Los niveles profundos obtenidos experimentalmente en el gap del Si pueden explicarse a partir de la geometría sustitucional, siempre que se distorsionen los primeros vecinos del Cd según una relajación que conserve la simetría Td, junto con pequeñas distorsiones trigonales del Cd. Estos resultados son consistentes con la información experimental dada por experiencias de correlaciones angulares perturbadas y mediciones de efecto Hall.