INTERCALACIÓN DE LITIO EN UN SEMICONDUCTOR III-V

Abstract

Se efectuó la litiación directa de muestras monocristalinas de InSb, orientadas (111), de tipo n, empleando n-butil-litio en solución de hexano, a temperatura ambiente. El proceso de litiación fue estudiado por difractometria de rayos X y con mediciones eléctricas. Los datos obtenidos de resistividad y de coeficientes de Hall permitieron determinar un coeficiente de difusión de litio en InSb a temperatura ambiente D298K = 1,09 x 10ˆ-8 cm2 sˆ-1 de acuerdo con valores de literatura hallados por otros métodos. Se discute un probable mecanismo de intercalación y se demuestra la reversibilidad del proceso.