ESTUDIO DE COMPUESTOS AMORFOS DE Si-N COMBINANDO MEDICIONES ÓPTICAS, DE XPS Y DE EELS. PARTE I: DENSIDADES ATÓMICAS Y DE LIGADURAS

Abstract

Presentamos un estudio de compuestos amorfos hidrogenados no estequiométricos de Si-N con distintos contenidos de N. Combinando mediciones ópticas de transmisión en el IR, de fotoemisión (XPS)y de pérdida de energía de electrones (EELS), determinamos las densidades atómicas de Si, N e H y las densidades de ligaduras Si-H, N-H, Si-Si y Si-N. Analizamos la estructura atómica alrededor de los sitios de Si y N. Estimamos las densidades de uniones "malas" N-N y Si-Si para un contenido de nitrógeno similar al estequiométrico.