ESTUDIO DE COMPUESTOS AMORFOS DE Si-N COMBINANDO MEDICIONES ÓPTICAS, DE XPS Y DE EELS. PARTE II: FOTOEMISIÓN DE NIVELES INTERNOS

Abstract

Presentamos los resultados de mediciones de fotoemisión de compuestos amorfos hidrogenados no estequiométricos de Si- N con distintos contenidos de N. Analizamos forma y corrimiento de los picos de fotoemisión correspondientes a los niveles internos N - 1s y Si - 2p. En base a este último discutimos la homogeneidad de las muestras y la transferencia de carga por ligadura Si-N.