ESTUDIO DE COMPUESTOS AMORFOS DE Si-N COMBINANDO MEDICIONES ÓPTICAS, DE XPS Y DE EELS. PARTE II: FOTOEMISIÓN DE NIVELES INTERNOS

Authors

  • M M Guraya Comisión Nacional de Energía Atómica, Centro Atómico Bariloche
  • H Ascolani Comisión Nacional de Energía Atómica, Centro Atómico Bariloche
  • G Zampieri Comisión Nacional de Energía Atómica, Centro Atómico Bariloche
  • J H Días da Silva UNICAMP
  • J I Cisneros UNICAMP
  • M Cantao UNICAMP
  • F C Marques UNICAMP

Abstract

Presentamos los resultados de mediciones de fotoemisión de compuestos amorfos hidrogenados no estequiométricos de Si- N con distintos contenidos de N. Analizamos forma y corrimiento de los picos de fotoemisión correspondientes a los niveles internos N - 1s y Si - 2p. En base a este último discutimos la homogeneidad de las muestras y la transferencia de carga por ligadura Si-N.


Author Biographies

J H Días da Silva, UNICAMP

Departamento de Física Aplicada, IFWG

J I Cisneros, UNICAMP

Departamento de Física Aplicada, IFWG

M Cantao, UNICAMP

Departamento de Física Aplicada, IFWG

F C Marques, UNICAMP

Departamento de Física Aplicada, IFWG

Published

2013-09-22