CRECIMIENTOS DE CAPAS EPITAXIALES DE CdxHg1-x-yMnyTe UTILIZANDO EL MÉTODO DE EPITAXIA EN FASE VAPOR

Abstract

Se emplea el método isotérmico de epitaxia en fase vapor para la obtención de capas de Hg1-x-y Cdx Mny Te con un gradiente de composición, sobre sustratos de Cd1-x Mnx Te. En esta técnica, la composición superficial y las características electrónicas (tipo de conductividad y movilidad de los portadores) pueden ser controladas ajustando las temperaturas del sustrato y la fuente por un lado y la del Hg por otro. Los crecimientos fueron caracterizados por rayos X (método de Laue), microscopía electrónica de barrido y microsonda electrónica, técnicas de "etching" y efecto Halkl. Los mismos presentan características adecuadas para su posterior aplicación en la fabricación de detectores de IR de tipo fotovoltaico.