MEDICIÓN DE DENSIDADES DE CADMIO ATÓMICO E IÓNICO Y TEMPERATURA ELECTRÓNICA EN UN LASER DE RECOMBINACIÓN DE HE-VAPOR DE CADMIO

Authors

  • D. Schinca Centro Investigaciones Ópticas (CIOp), Comisión de Investigaciones Científicas.
  • J. Tocho Centro Investigaciones Ópticas (CIOp), Comisión de Investigaciones Científicas.
  • H. Mancini Centro Investigaciones Láseres y Aplicaciones (CEILAP), Centro Investigaciones Técnicas de las Fuerzas Armadas.

Abstract

Un plasma dominado por recombinación electrón- ión es un medio apto para la amplificación y la oscilación de radiación láser en gases nobles y vapores metálicos. Diversos dispositivos han sido probados con tal propósito, desde descargas en arcos a plasmas producidos ópticamente. Nosotros utilizamos una descarga de cátodo hueco en un chorro de He para producir las condiciones necesarias de temperatura y densidad electrónicas a diversas distancias del cátodo hueco y la densidad de átomos e iones de Cadmio por métodos espectroscópicos. Con estos valores se está realizando un modelo que permitirá calcular la ganancia, y compararla con los valores obtenidos experimentalmente.

Published

2013-09-22