EVOLUCIÓN FOTOINDUCIDA DE LA LUMINISCENCIA DE SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO: INFLUENCIA DE LA ILUMINACIÓN DURANTE LA PREPARACIÓN.
Abstract
En este trabajo se muestra que el nivel de iluminación utilizado durante la preparación de silicio poroso es un factor clave que determina la posterior evolución fotoinducida de la luminiscencia. La evolución post-preparación es el resultado de la combinación de, al menos, dos efectos. Uno de ellos está gobernado por los cambios de tamaño de la nanoestructura debidos a la foto-oxidación, y predomina en muestras preparadas utilizando niveles de iluminación bajos. Por otro lado, para muestras preparadas con altos niveles de iluminación, la evolución está dominada por un efecto de decaimiento (quenching), que resulta de la generación fotoinducida de enlaces colgantes en la superficie de la nanoestructura, rica en hidrógeno. La cinética de la creación de enlaces colgantes es similar a la encontrada para el efecto Staebler-Wronski en silicio amorfo hidrogenado.
