CRECIMIENTO DE GRANO POR TENSIÓN INDUCIDA EN TCM

Abstract

Se ha observado en lingotes del semiconductor TeCdxHg1-x con x=0,2 (crecidos por el método de Bridgman) el fenómeno de crecimiento y migración de granos por tensión inducida (SlBM). Las protuberancias crecidas en un cristal han sido caracterizadas por microscopía óptica (luz polarizada) y por microscopía electrónica de barrido. Se analizan las causas del fenómeno en función del modelo de Beck y Sperry.